《美国地质调查 矿物概览》2021-水晶(工业级)

创建时间:2021-03-09 09:36

以下信息由贾江涛译自U.S. Geological Survey, Mineral Commodity Summaries, January 2021. P130Prepared by Thomas P. Dolley4 [Contact Joyce A. Ober (703) 6487717, jober@usgs.gov]

【译者注】编者已故;近两年的进口水晶大幅增加。

水晶(工业级)

(除非特别声明,数据均以公斤计)

国内产量和用途工业培养水晶是制造的电子级水晶而非开采而来。过去培养水晶主要用lascas1作为原材料生产,阿堪萨斯采矿和加工Lascas1997年停止。2020年工业培养水晶产量有报道,有证据表明美国两家公司生产培养水晶,但产量统计无法获得。除了lascas,这些公司用加工过程废弃的晶体学瑕疵培养水晶作为原料,公司可能用培养水晶和进口的lascas混合物作原料。过去几年,培养水晶海外生产增加,主要在亚洲。电子领域占大部分水晶工业用途,其他用途包括特殊光学领域。

实际上所有电子水晶都是培养的而并非天然晶体。电子级水晶主要制造各种电子线路产品中的频率滤波器、频率控制和计时器,比如通讯设备、计算机和很多消费品,如电子游戏和电视接收器。

主要统计美国

2016

2017

2018

2019

2020e

产量:






  矿(lascas)

  培养石英晶体

NA

NA

NA

NA

NA

进口用量:






石英(lascas)

NA

NA

NA

NA

NA

压电石英,未镶边

6,280

6,760

16,100

54,600

95,000

出口量:






石英(lascas)

NA

NA

NA

NA

NA

压电石英,未镶边

60,500

55,300

43,400

40,900

42,000

价格,$/kg:






  生长培养石英

280

280

300

200

200

  块状石英2

890

300

500

500

500

基于可见消费量的净进口依赖度3

NA

NA

NA

NA

NA

回收未指明数量的废弃培养水晶被用作原料生产培养水晶。

进口国(2016–19)因为lascas同其他类石英复合,确定的进口统计数据无法获得。培养的石英晶体(压电石英,未镶边):中国76%;日本11%;瑞士和俄罗斯各2%;其他国9%

税率表品名

编码

正常贸易关系

12-31-20

石英(包括lascas)

2506.10.0050

免费

压电石英,未镶边

7104.10.0000

3%从价

资源枯竭补贴22%(国内)14%(国外)

政府储备4截至2020930日,国防储备(NDS)7,148kg天然水晶。储备天然水晶有110.2~10kg的重量不同种类,储备晶体主要是较大重量的类别。大块的适合做晶种的是很薄并切成特定尺寸的晶体,用来生产培养水晶。此外,标本和宝石业也对很多储备晶体感兴趣。即使有,也是很少一部分储备材料和培养水晶用于同样的领域。2020年没有天然水晶从NDS出售,以前,只有10kg或以上的可用作晶种的单个晶体被出售。 

 



2020财年

2021财年

材料

库存-9-30-20

计划获得

计划处置

计划获得

计划处置

水晶

7,148

事件、趋势和问题过去几年压电石英进口上升主要是需求增长的结果,如用于航天和汽车领域的加速计震动传感器,各种电子器件频率控制振荡器和频率滤波器用水晶需求预期保持稳定。汽车稳定性控制领域,消费电子市场增长方面,如个人电脑、电子游戏和平板电脑等产品,似乎继续支撑全球培养石英晶体产量。

全球产量和储量6信息无法获得,但全球lascas储量相信很大。

世界资源6适合直接做电子或光学用途的天然水晶的有限资源全世界都有。由于培养水晶替代材料的可接受度增加,全球依赖此类天然资源将不断萎缩。此外用废弃培养水晶做原料的技术可降低生长培养晶体对lascas的依赖。

替代品用于替代电子线路中频率控制振荡器水晶正在增长,其他材料,诸如正磷酸铝(非常稀有的矿物块磷铝矿)、硅酸镧镓、铌酸锂和钽酸锂等具有大压电耦合常数的其他材料也被研究和使用。这些材料的成本竞争力与培养水晶相比,取决于材料所用的领域和加工要求。

标注解释:

e 预计;NA 无法获得;W  避免公司信息数据泄露而略去;0

1 Lascas是一种非电子级石英,用于生长培养的石英晶体和生产熔融石英的原料。

2 已被切割和打磨的生长培养石英。

3 定义为进口量-出口量

4 已故。

5 定义参见附录B 

6 资源和储量定义及相关数据来源信息参见附录C


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